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2SD1220	文件：169.81 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications •Complementaryto2SB905	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SD1220	文件：151.55 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SD1220	文件：39.39 Kbytes Page：1 Pages	SiliconNPNEpitaxialTransistor Features PowerAmplifierApplications	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1220	文件：155.6 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SD1220	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SD1220	文件：295.09 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=150V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=0.2A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
2SD1220O
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-251AA

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更多2SD1220O供应商更新时间2024-6-14 16:30:00

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