选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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TOSHIBA-东芝TO-252-3 |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市深创辉科技有限公司16年
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原装正品长期供货,如假包赔包换 徐小姐13714450367 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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Toshiba Semiconductor and StorTO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
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2SD1223(TE16L1,NQ)价格:¥20.7678品牌:Toshiba
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更多2SD1223(TE16L1,NQ)功能描述:两极晶体管 - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
2SD1223(TE16L1,NQ)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 6mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
20µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 3A,2V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
PW-MOLD
- 描述:
TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD