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2SD110	文件：81.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·HighPowerDissipation-:PC=100W@TC=25℃ ·HighCurrentCapability-:IC=10A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,powerswitching,DC-DC converterandregulatorapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1101	文件：172.17 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application •Lowfrequencyamplifier •Complementarypairwith2SB831	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1101	文件：35.8 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features ●LowFrequencyamplifier.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1101	文件：24.17 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application •Lowfrequencyamplifier •Complementarypairwith2SB831	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1101ACTL-E	文件：172.17 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application •Lowfrequencyamplifier •Complementarypairwith2SB831	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1105	文件：258.54 Kbytes Page：6 Pages	SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON 2SD1044->SiNPNDiffusedjunctionMesaDarlington 2SD1091->SiNPNTripleDiffusedPlanarDarlington 2SD1105->SiNPNDiffusedjunctionMesa	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SD1105	文件：78.91 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ·WideAreaofSafeOperation ·HighPowerandHighReliability APPLICATIONS ·DesignedforhighpowerAFamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD111	文件：224.01 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •HighPowerDissipation- :PC=100W@TC=25℃ •HighCurrentCapability- :IC=10A APPLICATIONS •Designedforpoweramplifier,powerswitching,DC-DC converterandregulatorapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1110	文件：116.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •Complementtotype2SB849 •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Foruseinlowfrequencypoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1110	文件：245.27 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SB849 APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1111	文件：67.01 Kbytes Page：3 Pages	Driver Applications ·HighDCCurrentGain(5000orgreater). ·LargecurrentcapacityandwideASO. ·Lowsaturationvoltage(VCE(sat)=0.8Vtyp).	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1113	文件：32.43 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1113	文件：144.94 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1113	文件：190.7 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=300V(Min) •HighDCCurrentGain :hFE=500(Min)@IC=4A APPLICATIONS •Igniter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1113K	文件：32.43 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1113K	文件：144.94 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Igniter	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1115	文件：248.15 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=300V(Min) ·HighDCCurrentGain:hFE=500(Min)@IC=2A APPLICATIONS ·Designedforhighvoltageswitching,igniterapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1115	文件：32.91 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Highvoltageswitching,igniter	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1115K	文件：32.91 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Highvoltageswitching,igniter	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1115K	文件：57.56 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Forhighvoltageswitchingandignitorapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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晶体管资料

型号：
2SD1101
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.7A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BCW65,BCW66,2SC3265,2SC3440,2SD596,2SD602,2SD1048,2SD1781,3DK4A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
25
htest：
999900
atest：
.7
wtest：
0

详细参数

型号：
2SD11
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon NPN Epitaxial

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SD1101	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-23	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多2SD11供应商更新时间2024-5-24 14:00:00

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