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2SD110	文件：81.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·HighPowerDissipation-:PC=100W@TC=25℃ ·HighCurrentCapability-:IC=10A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,powerswitching,DC-DC converterandregulatorapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1101	文件：172.17 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application •Lowfrequencyamplifier •Complementarypairwith2SB831	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1101	文件：35.8 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features ●LowFrequencyamplifier.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1101	文件：24.17 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application •Lowfrequencyamplifier •Complementarypairwith2SB831	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD1101ACTL-E	文件：172.17 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application •Lowfrequencyamplifier •Complementarypairwith2SB831	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1105	文件：258.54 Kbytes Page：6 Pages	SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON 2SD1044->SiNPNDiffusedjunctionMesaDarlington 2SD1091->SiNPNTripleDiffusedPlanarDarlington 2SD1105->SiNPNDiffusedjunctionMesa	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
2SD1105	文件：78.91 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ·WideAreaofSafeOperation ·HighPowerandHighReliability APPLICATIONS ·DesignedforhighpowerAFamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

晶体管资料

型号：
2SD110
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
130V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
1MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDX11,BDY19,BDY74,2N3442,2N3773,2SD551,2SD732,2SD733,3DD70E,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
130
htest：
1000000
atest：
10
wtest：
100

详细参数

型号：
2SD110
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 130V 10A 100W BEC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD110供应商更新时间2024-5-21 16:00:00

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