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2SC5183	文件：60.61 Kbytes Page：12 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES •LowNoise •NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz •NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •4-pinMini-MoldpackageEIAJ:SC-61	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC5183	文件：196.62 Kbytes Page：21 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE687seriesofNPNepitaxialsilicontransistorsaredesignedforlowcost,lownoiseapplications.Excellentperformanceatlowvoltage/lowcurrentmakesthisseriesanidealchoiceforportablewirelessapplicationsat1.6,1.9and2.4GHz.TheNE687dieisavailableinsixdif	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC5183	文件：190.23 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLD PACKAGEFORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION FEATURES •LowNoise •NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz •NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •4-pinMini-Moldpackage EIAJ:SC-61	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC518383R	文件：196.62 Kbytes Page：21 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE687seriesofNPNepitaxialsilicontransistorsaredesignedforlowcost,lownoiseapplications.Excellentperformanceatlowvoltage/lowcurrentmakesthisseriesanidealchoiceforportablewirelessapplicationsat1.6,1.9and2.4GHz.TheNE687dieisavailableinsixdif	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC5183R	文件：210.38 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION FEATURES •Lownoise NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •4-pinMini-Moldpackage SOT-143style(Pinsforoverseasuseareass	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5183R-T1	文件：210.38 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION FEATURES •Lownoise NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •4-pinMini-Moldpackage SOT-143style(Pinsforoverseasuseareass	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5183R-T2	文件：210.38 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION FEATURES •Lownoise NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •4-pinMini-Moldpackage SOT-143style(Pinsforoverseasuseareass	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5183-T1	文件：60.61 Kbytes Page：12 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES •LowNoise •NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz •NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •4-pinMini-MoldpackageEIAJ:SC-61	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC5183-T2	文件：60.61 Kbytes Page：12 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES •LowNoise •NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz •NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •4-pinMini-MoldpackageEIAJ:SC-61	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

晶体管资料

型号：
2SC5183(R)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_SHF
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
5V
最大电流允许值：
0.03A
最大工作频率：
9.5GHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
2SC4095,2SC5092,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-17
vtest：
5
htest：
9500000000
atest：
.03
wtest：
0

详细参数

型号：
2SC5183
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市力通伟业半导体有限公司	2SC5183	NEC	13+	SOT-143	86000	特价热销现货库存	询价
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深圳市旺财半导体有限公司	2SC5183(R)		23+	TO	20000	正品原装货价格低qq:2987726803	询价
深圳市惊羽科技有限公司	2SC5183-FB	NEC-日本电气	24+25+/26+27+	SOT-143	18800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC5184	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-323	120000	只做原装可免费提供样品	询价
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更多2SC5183供应商更新时间2024-6-1 14:10:00

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