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2SC5200	文件：288.73 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=300V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=3.0V(Max)@IC=8A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5200	文件：94.02 Kbytes Page：3 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequency AmplifierOutputStage. ComplementarytoUTC2SA1943	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC5200	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5200	文件：292.72 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·HighCurrentCapability ·HighPowerDissipation ·HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=230V(Min) ·ComplementtoType2SA1943 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5200	文件：229.34 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PLpackage •Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS •Highcurrentswitching •Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5200	文件：281.46 Kbytes Page：2 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATION •Complementaryto2SA1943 •Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequencyAmplifierOutputStage.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC5200	文件：157.43 Kbytes Page：8 Pages	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Description ThisdeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Features ■HighbreakdownvoltageVCEO=230V ■TypicalfT=30MHz Application ■Audiopoweramplif	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2SC5200	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5200	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •HighCurrentCapability:IC=17A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1943/FJL4215. •ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5200	文件：424.28 Kbytes Page：2 Pages	150 Watt Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS ·Highcurrentswitching ·Recommendedfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
2SC5200N	文件：1.28247 Mbytes Page：4 Pages	150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor DESCRIPTION ·WithTO-3PN-SQpackage ·Complementtotype2SA1943N APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
2SC5200-OQ	文件：173.79 Kbytes Page：3 Pages	power amplifier applications POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS •Complementaryto2SA1943 •Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequencyAmplifierOutputStage.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5200OTU	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5200OTU	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •HighCurrentCapability:IC=17A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1943/FJL4215. •ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5200RTU	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5200RTU	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •HighCurrentCapability:IC=17A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1943/FJL4215. •ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5201	文件：77.7 Kbytes Page：1 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) High-VoltageSwitchingApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=600V •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.0V(max) (IC=20mA,IB=0.5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5207A	文件：69.05 Kbytes Page：5 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SiliconNPNTripleDiffusedPlanar Features •Highspeedswitching tf=0.2µsec(typ) •Widedrivecurrentcapability	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SC5208	文件：167.44 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type High-Voltage Switching Applications High-VoltageSwitchingApplications SwitchingRegulatorApplications DC-DCConverterApplications DC-ACInverterApplications •High-speedswitching:tr=1.0μs(max),tf=1.5μs(max) •Highbreakdownvoltage:VCEO=400V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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晶体管资料

型号：
2SC5200
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_HIFI_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
230V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4029,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
图片代号：
B-62
vtest：
230
htest：
30000000
atest：
15
wtest：
150

产品属性

产品编号：
2SC5200
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
55 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：
TO-264
描述：
TRANS NPN 230V 15A TO264

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更多2SC52供应商更新时间2024-4-30 15:34:00

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