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2SC3353	文件：244.51 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmiiterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=500V(Min.) ·LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3A ·HighSpeedSwitching APPLICATIONS ·Designedforhighspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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2SC3353

文件：244.51 Kbytes

Page：2 Pages

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmiiterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=500V(Min.) ·LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3A ·HighSpeedSwitching APPLICATIONS ·Designedforhighspeedswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

晶体管资料

型号：
2SC3353
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
800V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BUT11(A)F,2SC3750,2SC3795,2SC4518,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
800
htest：
999900
atest：
5
wtest：
40

详细参数

型号：
2SC3353
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon NPN Power Transistor

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更多2SC3353供应商更新时间2024-5-16 16:00:00

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