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2SC3420	文件：142.79 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·HighDCcurrentgain ·Lowsaturationvoltage ·Highcollectorpowerdissipation APPLICATIONS ·Storoboflashapplications ·Mediumpoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC3420	文件：201.18 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·HighDCcurrentgain ·Lowsaturationvoltage ·Highcollectorpowerdissipation APPLICATIONS ·Storoboflashapplications ·Mediumpoweramplifierapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SC3420	文件：174.4 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·HighDCcurrentgain ·Lowsaturationvoltage ·Highcollectorpowerdissipation APPLICATIONS ·Storoboflashapplications ·Mediumpoweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC3420	文件：152.87 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBO FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) StrobeFlashApplications AudioPowerAmplifierApplications •HighDCcurrentgain:hFE=140to600(VCE=2V,IC=0.5A) :hFE=70(min)(VCE=2V,IC=4A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.0V(max)(IC=4A,IB=0.1A) •Highcollec	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3421	文件：151.92 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) AudioFrequencyPowerAmplifierApplications •Complementaryto2SA1358 •Suitablefordriverof60to80wattsaudioamplifier •Highbreakdownvoltage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3421	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3421	文件：249.11 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·HighCollector-EmitterBreakdownVoltage:V(BR)CEO=120V(Min) ·ComplementtoType2SA1358 APPLICATIONS ·Designedforaudiofrequencypoweramplifierapplications. ·Suitablefordriverof60to80Wattsaudioamplifier.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC3423	文件：143.67 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS) AudioFrequencyAmplifierApplications •Complementaryto2SA1360 •Smallcollectoroutputcapacitance:Cob=1.8pF(typ.) •Hightransitionfrequency:fT=200MHz(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3423	文件：141.41 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Complementtotype2SA1360 •Hightransitionfrequency APPLICATIONS •Audiofrequencyamplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC3423	文件：202.86 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Complementtotype2SA1360 •Hightransitionfrequency APPLICATIONS •Audiofrequencyamplifierapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SC3423	文件：176.11 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Complementtotype2SA1360 •Hightransitionfrequency APPLICATIONS •Audiofrequencyamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC3423	文件：127.35 Kbytes Page：5 Pages	Audio Frequency Amplifier Applications AudioFrequencyAmplifierApplications •Complementaryto2SA1360 •Smallcollectoroutputcapacitance:Cob=1.8pF(typ.) •Hightransitionfrequency:fT=200MHz(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3423	文件：127.35 Kbytes Page：5 Pages	Audio Frequency Amplifier Applications AudioFrequencyAmplifierApplications •Complementaryto2SA1360 •Smallcollectoroutputcapacitance:Cob=1.8pF(typ.) •Hightransitionfrequency:fT=200MHz(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3423	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3423Y	文件：127.35 Kbytes Page：5 Pages	Audio Frequency Amplifier Applications AudioFrequencyAmplifierApplications •Complementaryto2SA1360 •Smallcollectoroutputcapacitance:Cob=1.8pF(typ.) •Hightransitionfrequency:fT=200MHz(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3423-Y	文件：127.35 Kbytes Page：5 Pages	Audio Frequency Amplifier Applications AudioFrequencyAmplifierApplications •Complementaryto2SA1360 •Smallcollectoroutputcapacitance:Cob=1.8pF(typ.) •Hightransitionfrequency:fT=200MHz(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3425	文件：220.64 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR SILICON NPN DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS) SwitchingRegulatorandHigh-VoltageSwitchingApplications High-SpeedDC-DCConverterApplications •Excellentswitchingtimes:tr=1.0μs(max) tf=1.5μs(max),(IC=0.5A) •Highbreakdownvoltage:VCEO=400V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3425	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3425	文件：324.01 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage- :VCEO=400V(Min) ·ComplementtothePNP2SA1924 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforhighvoltageandgeneralpurposeapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC3429	文件：35.66 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type Features •LowNoiseFigure •NF=1.5dB,\|S21e\|2=16dB(f=500MHz) •NF=1.5dB,\|S21e\|2=10.5dB(f=1GHz)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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晶体管资料

型号：
2SC3420
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD826,2SD1348,2SD1685,2SC2270,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
B-25
vtest：
50
htest：
100000000
atest：
5
wtest：
10

详细参数

型号：
2SC342
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
Trans GP BJT NPN 20V 5A 3-Pin TO-126IS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC342供应商更新时间2024-4-30 8:30:00

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