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2SC2001-M-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 0.7A TO92	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC2001	文件：1.14724 Mbytes Page：2 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors MediumPowerAmplifiersandSwitches TO-92Plastic-EncapsulateTransistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC2001	文件：41.27 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerAmplifiersandSwitches MediumPowerAmplifiersandSwitches TO-92Plastic-EncapsulateTransistors	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
2SC2001	文件：59.52 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.6W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.7A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SC2001	文件：478.89 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●HighhFEandlowVCE(sat) hFE(IC=100mA)：200(Typ) VCE(sat)(700mA)：0.2V(Typ)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2001	文件：154.22 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION The2SC2001isdesignedforuseinoutputstateofportableRADIOandcassettetypetaperecorder,generalpurposeapplications.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC2001	文件：215.58 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
2SC2001	文件：286.7 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighhFEandlowVCE(sat) hFE(IC=100mA):200(Typ) VCE(sat)(700mA):0.2V(Typ)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SC2001	文件：927.19 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Hightotalpowerdissipation,lowVCE(sat)andhighhFE. Applications Outputstageofportableradioandcassettetypetaperecorder,generalpurposeapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC2001	文件：802.77 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighhFEandLowVCE(sat) hFE(IC=100mA):200(Typ) VCE(sat)(700mA):0.2V(Typ)	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC2001	文件：126.39 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.6W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.7A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC2001-K	文件：309.6 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC2001-K	文件：222.82 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features ▪Capableof0.6WattsofPowerDissipation. ▪Collector-current0.7A ▪Collector-baseVoltage30V ▪Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C ▪EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ▪MoisureSensitivityLevel1 ▪Marking:C2001 ▪LeadFreeFinish/Rohs	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC2001-L	文件：222.82 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features ▪Capableof0.6WattsofPowerDissipation. ▪Collector-current0.7A ▪Collector-baseVoltage30V ▪Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C ▪EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ▪MoisureSensitivityLevel1 ▪Marking:C2001 ▪LeadFreeFinish/Rohs	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC2001-L	文件：309.6 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC2001-M	文件：309.6 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC2001-M	文件：222.82 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features ▪Capableof0.6WattsofPowerDissipation. ▪Collector-current0.7A ▪Collector-baseVoltage30V ▪Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C ▪EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ▪MoisureSensitivityLevel1 ▪Marking:C2001 ▪LeadFreeFinish/Rohs	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
ST2SC2001	文件：128.9 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintothreegroups,O,Y andG,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

产品属性

产品编号：
2SC2001-M-AP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 70mA，700mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92
描述：
TRANS NPN 25V 0.7A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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