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2SA1162GT1	文件：50.1 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Amplifier Transistors •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating:TBD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1162GT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 0.15A SC59	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1162	文件：153.83 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA) =0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~400 •Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：391.18 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：270.47 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoise:NF=1dB(Typ),10dB(Max). ●Commplementaryto2SC2712. ●Smallpackage. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1162	文件：104.56 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：69.45 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:150mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:150mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA1162	文件：324.09 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES •LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) •Complementsofthe2SC2712 MECHANICALDATA •Case:SOT-23,MoldedPlastic •Weight:0.008grams(approx.)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1162	文件：332.12 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1162	文件：312.92 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES .Lownoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) .Complementaryto2SC2712. .SmallPackage. MARKING:SO,SY,SG	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SA1162	文件：86.92 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPEpitaxialTypeTransistor ■Features ●Highvoltageandhighcurrent ●HighhFE:hFE=70~400 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) ●Complementaryto2SC2712	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1162	文件：410.41 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPEpitaxialTypeTransistor	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
2SA1162	文件：178.67 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA) =0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~400 •Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：195.07 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1162	文件：189.37 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA) =0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~400 •Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：1.11548 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lownoise ●Complementaryto2SC2712 ●SmallPackage	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA1162	文件：222.34 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES PNPGeneralPurposeTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
2SA1162	文件：98.23 Kbytes Page：1 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR LOWFREQRENCY,LOWNOISEAMPLIFIER •Complemento2SC2712 •Collector-current:Ic=-100mA Collector-EmillerVoltage:VCE=-45V	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SA1162	文件：200.74 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lownoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) Complementaryto2SC2712. SmallPackage.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2SA1162	文件：699.19 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highvoltageandcurrent,excellenthFElinearity,highhFE,lownoise,complementaryto2SC2712. Applications Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

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产品属性

产品编号：
2SA1162GT1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，6V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SC-59
描述：
TRANS PNP 50V 0.15A SC59

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA1162G供应商更新时间2024-6-17 10:50:00

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