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2N6426G	文件：79.2 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistors NPN Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6426G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6426	文件：153.51 Kbytes Page：6 Pages	DarlingtonTransistors(NPNSilicon) DarlingtonTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable** •DeviceMarking:DeviceType,e.g.,2N6426,DateCode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6426	文件：25.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNDarlingtonTransistor Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhighcurrentgainatcurrentsto1.0A.Sourcedfrom Process05.SeeMPSA14forcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N6426	文件：111.97 Kbytes Page：8 Pages	DarlingtonTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2N6426	文件：297.8 Kbytes Page：7 Pages	NPNDarlingtonTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N6426RLRAG	文件：79.2 Kbytes Page：6 Pages	DarlingtonTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
H2N6426	文件：35.21 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description DarlingtonTransistor	HSMC 华昕	HSMC

产品属性

产品编号：
2N6426G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500µA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30000 @ 100mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92

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更多2N6426G供应商更新时间2024-6-15 16:30:00

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