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2N6497

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION •·WithTO-220Cpackage •Highbreakdownvoltage APPLICATIONS •Designedforhighvoltageinverters,switchingregulatorsandlineoperatedamplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2N6497

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=250V(Min)-2N6497=300V(Min)-2N6498=350V(Min)-2N6499 •DCCurrentGain-:hFE=10-75@IC=2.5A APPLICATIONS •Designedforhighvoltageinverters,switchingregulatorsandlineoperatedamplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2N6497

HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS

HIGHVOLTAGENPNSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforhighvoltageinverters,switchingregulatorsandlineoperatedamplifierapplications. FEATURES: •Collector-EmitterSustainingVoltage-VCEO(SUS)=250V(Min)-2N6497=300V(Min)-2N6498=350V(Min)-2N6499 •DCCurrentGain-hFE=10-75

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

2N6497

HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS

HIGHVOLTAGENPNSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforhighvoltageinverters,switchingregulatorsandlineoperatedamplifierapplications. FEATURES: •Collector-EmitterSustainingVoltage-VCEO(SUS)=250V(Min)-2N6497=300V(Min)-2N6498=350V(Min)-2N6499 •DCCurrentGain-hFE=10-75

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N6497

POWER TRANSISTORS NPN SILICON

HighVoltageNPNSiliconPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforhighvoltageinverters,switchingregulatorsandline−operatedamplifierapplications.Especiallywellsuitedforswitchingpowersupplyapplications.Features •HighCollector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(sus)=250

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

2N6497

POWER TRANSISTORS(5A,80W)

HIGHVOLTAGENPNSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforhighvoltageinverters,switchingregulatorsandlineoperatedamplifierapplications. FEATURES: •Collector-EmitterSustainingVoltage-VCEO(SUS)=250V(Min)-2N6497=300V(Min)-2N6498=350V(Min)-2N6499 •DCCurrentGain-hFE=10-

MOSPEC

MOSPEC

2N6497

SILICON NPN POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6497,2N6498, and2N6499aresiliconNPNpowertransistorsdesigned forhighvoltageamplifierapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

2N6497

High Voltage NPN Silicon Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

2N6497

Silicon NPN Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2N6497

包装:散装 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 250V 5A TO220

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

2N6497G

包装:管件 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 250V 5A TO220

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

晶体管资料

  • 型号:

    2N6497

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    350V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    >5MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BUT56(A),MJE51T,MJE52T,MJE53T,2SC2907,3DA308A,

  • 最大耗散功率:

    80W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-45

  • vtest:

    350

  • htest:

    5000100

  • atest:

    5

  • wtest:

    80

产品属性

  • 产品编号:

    2N6497

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    5V @ 2A,5A

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 2.5A,10V

  • 频率 - 跃迁:

    5MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 250V 5A TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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全新
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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更多2N6497供应商 更新时间2024-6-2 14:00:00