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2N5551中文资料PDF规格书

2N5551
厂商型号

2N5551

参数属性

2N5551 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO92

功能描述

NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

文件大小

57.29 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Boca semiconductor corporation
企业简称

boca博卡

中文名称

博卡半导体公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-22 18:24:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N5551

  • 别名:

    2N5551三极管、2N5551晶体管、2N5551晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    视频输出 (Vid)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    180V

  • 最大电流允许值:

    0.6A

  • 最大工作频率:

    >100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BF391,BF392,BF393,BFP22,BSS48,HY5551,MPS-A42,MPS-A43,2N3440,3DA87C,3DG84G,

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    180

  • htest:

    100000100

  • atest:

    .6

  • wtest:

    .625

2N5551规格书详情

NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

High Voltage NPN Transistor For General Purpose And Telephony Applications.

产品属性

  • 产品编号:

    2N5551

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    300MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.6A TO92

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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