选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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ONN/A |
86968 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市和悦电子贸易有限公司1年
留言
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368 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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FSCTO92 |
50 |
1031+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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ONTO-220-3 |
50000 |
22+ |
ON二三极管全系列在售 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FcsTO-92 |
6852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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CJ(江苏长电/长晶)TO923 |
6000 |
23+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美NA |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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ON/安森美TO-92 |
20000 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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CENTRALSEMICONDUCTORna |
30000 |
23+ |
有挂就有货,只做原装免费送样,可BOM配单 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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ON/ON Semiconductor/安森美/安TO-92 |
13418 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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ONTO-92 |
6000 |
17+ |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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CENTRALSEMICONDUCTOR |
9852 |
2046+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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2N5550110 |
110 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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FcsTO-92 |
65200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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TISOIC-8 |
6000 |
2022+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ONTO-92 |
13418 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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SAMSUNG/三星NA |
880000 |
00+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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ONTO-92 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ONTO-92 |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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2N5550图片
2N5550TA价格
2N5550TA价格:¥0.1383品牌:Fairchild Semiconductor
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2N5550资讯
2N5550
2N5550
2N5550中文资料Alldatasheet PDF
更多2N5550功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5550 (D023)制造商:Freescale Semiconductor
2N5550/D26Z制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
2N5550_00制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistor
2N5550_07制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors NPN Silicon
2N5550_98制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE
2N5550_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5550_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5550_D28Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5550_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
2N5550
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
250mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 10mA,5V
- 频率 - 跃迁:
300MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 长体
- 供应商器件封装:
TO-92(TO-226)
- 描述:
TRANS NPN 140V 0.6A TO92
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
视频输出 (Vid)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
160V
- 最大电流允许值:
0.6A
- 最大工作频率:
>100MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BF391,BF392,BF393,BFP22,BSS48,MPS-A42,MPS-A43,2N3440,3DG84G,
- 最大耗散功率:
0.625W
- 放大倍数:
- 图片代号:
A-31
- vtest:
160
- htest:
100000100
- atest:
.6
- wtest:
.625