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2N5306A中文资料PDF规格书

2N5306A
厂商型号

2N5306A

功能描述

SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

文件大小

126.29 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 GE Solid State
企业简称

GESS

中文名称

GE Solid State

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-28 12:00:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N5306A

  • 别名:

    2N5306A三极管、2N5306A晶体管、2N5306A晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_前置放大 (V)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    25V

  • 最大电流允许值:

    0.3A

  • 最大工作频率:

    60MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

    β>7000

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    25

  • htest:

    60000000

  • atest:

    .3

  • wtest:

    .4

2N5306A规格书详情

Silicon Darlington Transistors

产品属性

  • 型号:

    2N5306A

  • 制造商:

    GESS

  • 制造商全称:

    GESS

  • 功能描述:

    SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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