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2N5306中文资料PDF规格书

2N5306
厂商型号

2N5306

参数属性

2N5306 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3

功能描述

NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

文件大小

97.23 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Central Semiconductor Corp
企业简称

Central

中文名称

美国中央半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 19:09:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N5306

  • 别名:

    2N5306三极管、2N5306晶体管、2N5306晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_前置放大 (V)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    25V

  • 最大电流允许值:

    0.3A

  • 最大工作频率:

    60MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC517,BC617,MPS-A13,MPS-A14,2SD892,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

    β>7000

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    25

  • htest:

    60000000

  • atest:

    .3

  • wtest:

    .4

2N5306规格书详情

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5306, 2N5308 types are NPN Silicon EPitaxial Planar Darlington Transistors designed for high gain amplifier applications.

产品属性

  • 产品编号:

    2N5306

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.4V @ 200µA,200mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    7000 @ 2mA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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