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2N4124	文件：48.87 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. PNPcomplement:2N4126. FEATURES •Lowcurrent(max.200mA) •Lowvoltage(max.25V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification, e.g.small-signalaudio-frequencyapplications.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N4124	文件：124.23 Kbytes Page：1 Pages	NPNSMALLSIGNALTRANSISTOR FEATURES ForGeneralPurposeSwitchingandAmplifier Applications EspeciallySuitableforAFDriverandLow PowerOutputStages	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
2N4124	文件：31.31 Kbytes Page：1 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCEO=25V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
2N4124	文件：93.55 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4124	文件：210.18 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalTransistors(NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialTransistor forswitchingandamplifierapplications. ♦EspeciallysuitableforAF-driverand low-poweroutputstages. ♦Ascomplementarytype,thePNP transistor2N4126isrecommended.	GE GE Industrial Company	GE
2N4124	文件：747.86 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor625mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHoleTO-92Package •Capableof625mWattsofPowerDissipation •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •Mois	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N4124	文件：85.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N4124	文件：56.42 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N4124	文件：81.46 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4124	文件：97.14 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4124	文件：83.77 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor 0.2A,30VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●HighDCCurrentGain ●HighTransitionFrequency	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2N4124	文件：321.49 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N4124	文件：121.29 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4124	文件：84.54 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSITORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N4124	文件：382.02 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N4124	文件：367.25 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighDCCurrentGain ●HighTransitionFrequency	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2N4124	文件：114.91 Kbytes Page：1 Pages	NPNSMALLSIGNALGENERALPURPOSEAMPLIFIERANDSWITCH NPNSMALLSIGNALGENERALPURPOSEAMPLIFIERANDSWITCH	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N4124	文件：165.13 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurpose	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
2N4124G	文件：81.46 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
H2N4124	文件：34.7 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N4124isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features •ComplementarytoH2N4126 •LowCollectortoEmitterSaturationVoltage	HSMC 华昕	HSMC

详细参数

型号：
2N4124RA
功能描述：
两极晶体管 - BJT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N4124RA供应商更新时间2024-5-16 9:30:00

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