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2N4125	文件：31.01 Kbytes Page：1 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR AMPLIIFERTRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCEO=30V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
2N4125	文件：23.85 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsof10µAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4125	文件：56.42 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N4125	文件：61.79 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4125	文件：84.54 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSITORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

详细参数

型号：
2N4125TFR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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