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2N3904TAR	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral−purposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto 100MHzasanamplifier.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904TF	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral−purposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto 100MHzasanamplifier.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904TFR	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral−purposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto 100MHzasanamplifier.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904U	文件：206.65 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3904U	文件：481.12 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. •LowCollectorOutputCapacitance	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3904U	文件：21.29 Kbytes Page：1 Pages	USMPACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3904V	文件：97.72 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. •LowCollectorOutputCapacitance	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
G2N3904	文件：129.72 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
G2N3904	文件：131.64 Kbytes Page：2 Pages	TheG2N3904isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
H2N3904	文件：36.38 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N3904isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	HSMC 华昕	HSMC
L2N3904	文件：134.29 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
PJ2N3904	文件：206.37 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
PJ2N3904CT	文件：206.37 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
PJ2N3904CX	文件：206.37 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
Q2N3904	文件：45.55 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistor NPNswitchingtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplement:2N3906. 1.Lowcurrent(max.200mA) 2.Lowvoltage(max.40V).	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
YS2N3904	文件：1.039 Mbytes Page：5 Pages	TRANSISTOR(NPN)	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN

详细参数

型号：
2N3904TAM
功能描述：
功率放大器 DISC BY MFG 2/02
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
工作电源电压：
28 V
电源电流：
2.5 A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N3904TAM供应商更新时间2024-6-14 15:00:00

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