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2N3904-AP	文件：65.09 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALNPNTRANSISTOR 1.SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR 2.TO-92PACKAGESUITABLEFORTHROUGH-HOLEPCBASSEMBLY 3.THEPNPCOMPLEMENTARYTYPEIS2N3906 APPLICATIONS 1.WELLSUITABLEFORTVANDHOMEAPPLIANCEEQUIPMENT 2.SMALLLOADSWITCHTRANSISTORWITHHIGHGAINANDLOWSATURATIONVOLTAGE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2N3904-BP	文件：98.24 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N3904BU	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral−purposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto 100MHzasanamplifier.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904BU	文件：175.07 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral-purposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3904C	文件：30.72 Kbytes Page：1 Pages	LaserMarking	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3904C	文件：205.55 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. •LowCollectorOutputCapacitance	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3904CJ	文件：675.34 Kbytes Page：2 Pages	NPNsiliconepitaxialplanartransistorforswitchingandAmplifierapplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N3904CSM	文件：21.3 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSENPNTRANSISTORINAHERMETICALLYSEALEDCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGEFORHIGHRELIABILITYAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N3904DCSM	文件：113.19 Kbytes Page：3 Pages	SILICONEPITAXIALDUALNPNTRANSISTORS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N3904DCSM	文件：113.18 Kbytes Page：3 Pages	SILICONEPITAXIALDUALNPNTRANSISTORS SILICONEPITAXIALDUALNPNTRANSISTORS 2N3904DCSM •DualSiliconPlanarNPNTransistors. •HermeticCeramicSurfaceMountPackage. •DesignedForGeneralPurposeandSwitchingApplications. •ScreeningOptionsAvailable.	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
2N3904E	文件：466.06 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3904E	文件：94.13 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ●LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. ●ExcellentDCCurrentGainLinearity. ●LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. ●LowCollectorOutputCapacitance :	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3904G	文件：85.66 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904G	文件：183.58 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904G	文件：236.45 Kbytes Page：10 Pages	GeneralPurposeTransistors Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904G	文件：820.02 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2N3904H	文件：183.58 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904LP	文件：376.6 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3904N	文件：189.6 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalsmallsignalapplication •Switchingapplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.3V(MAX.)@IC=50mA,IB=5mA •Lowcollectoroutputcapacitance:Cob=3pF(Typ.)@VCB=5V,IE=0,f=1MHz •ComplementarypairwithSTA3906A	AUK AUK	AUK
2N3904RLRA	文件：85.66 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
2N3904TAM
功能描述：
功率放大器 DISC BY MFG 2/02
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
工作电源电压：
28 V
电源电流：
2.5 A

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更多2N3904TAM供应商更新时间2024-6-14 15:00:00

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