2N3055AG技术资料参数原装现货安森美半导体-114ic电子网

首页 >2N3055AG>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
2N3055AG	文件：143.21 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon High-Power Transistors ThesePowerBasecomplementarytransistorsaredesignedforhighpoweraudio,steppingmotorandotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircuitssuchasrelayorsolenoiddrivers,dc−to−dcconverters,inverters,orforinductiveloadsrequiringhighersafeoper	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3055AG	文件：89.38 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon High-Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3055AG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 15A TO204	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3055	文件：47.01 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinepitaxial-baseplanartechnologyandaresuitableforaudio,powerlinearandswitchingapplications. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■ComplementaryNPN-PNPtransistors Applications ■Generalpurpose ■Audi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2N3055	文件：167.54 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(15A,50V,115W)	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
2N3055	文件：130.46 Kbytes Page：4 Pages	15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS115WATTS 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS115WATTS 2N3055(NPN)MJ2955(PNP) designedforgeneral–purposeswitchingandamplifierapplications. 1.DCCurrentGain—hFE=20–70@IC=4Adc 2.Collector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4Adc	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
2N3055	文件：235.85 Kbytes Page：6 Pages	15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60,120VOLTS115,180WATTS 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60,120VOLTS115,180WATTS ...PowerBasecomplementarytransistorsdesignedforhighpoweraudio,steppingmotorandotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircuitssuchasrelayorsolenoiddrivers,d	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
2N3055	文件：81.17 Kbytes Page：4 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral−purposeswitchingandamplifierapplications. Features •DCCurrentGain−hFE=20−70@IC=4Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3055	文件：40.46 Kbytes Page：1 Pages	TO-3PowerPackageTransistors(NPN) TO-3PowerPackageTransistors(NPN)	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
2N3055	文件：83.79 Kbytes Page：4 Pages	NPNTRANSISTORFORPOWERFULAFOUTPUTSTAGES NPNTransistorforPowerfulAFOutputStage 2N3055isasinglediffusedNPNsilicontransistorinTO3case(3A2DIN41872).Thecollectoriselectricallyconnectedtothecase.ThetransistorisparticularlysuitableforuseinpowerfulAFoutputstagesandinstabilizedpowersupplyunits.	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
2N3055	文件：174.38 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS115WATTS	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
2N3055	文件：55.17 Kbytes Page：2 Pages	SILICONNPNTRANSISTORS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N3055	文件：14.39 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage BipolarNPNDevice. VCEO=100V IC=15A	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N3055	文件：71.17 Kbytes Page：4 Pages	ComplementarySiliconPowerTransistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral−purposeswitchingandamplifierapplications. Features •DCCurrentGain−hFE=20−70@IC=4Adc •Collector−EmitterSaturationVoltage−VCE(sat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3055	文件：150.61 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARPOWERTRANSISTORS	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N3055	文件：92.97 Kbytes Page：7 Pages	Complementarypowertransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2N3055	文件：234.04 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforpowerswitchingcircuits,seriesandshuntregulators,outputstagesandhighfidelityamplifiers.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
2N3055	文件：151.46 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·ComplementtotypeMJ2955 ·DCCurrentGain-hFE=20–70@IC=4Adc ·Collector–EmitterSaturationVoltage-VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4Adc ·ExcellentSafeOperatingArea APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purposeswitchingandamplifier	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2N3055	文件：57.52 Kbytes Page：2 Pages	NPNPOWERSILICONTRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N3055	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerTransistors PowerTransistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

12 3 4 >>>

产品属性

产品编号：
2N3055AG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
5V @ 7A，15A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 4A，2V
频率 - 跃迁：
6MHz
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS NPN 60V 15A TO204

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2N3055AG	onsemi	23+	TO-204AA,TO-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N3055AG	onsemi(安森美)	23+	TO-204	977	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市博浩通科技有限公司	2N3055AG	ON	23+	TO-3	7750	全新原装优势	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	2N3055AG	ON	08+(pbfree)	TO-204(TO-3)	8866		询价
深圳市达恩科技有限公司	2N3055AG	ONSemiconductor	18+	NA	3000	进口原装正品优势供应QQ3171516190	询价
绿盛电子(香港)有限公司	2N3055AG	ONS	2018+		26976	代理原装现货/特价热卖!	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	2N3055AG		23+	N/A	37860	正品授权货源可靠	询价
深圳市昊创电子有限公司	2N3055AG	ON/安森美	专业铁帽	TO-3	3000	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价
深圳市纳立科技有限公司	2N3055AG		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	2N3055AG	ON	2020+	TO-3	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价

更多2N3055AG供应商更新时间2024-4-28 15:09:00

产品属性

相关规格书

相关库存