2N3055中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
2N3055 |
| 参数属性 | 2N3055 封装/外壳为TO-204AA，TO-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 60V 15A TO3 |
| 功能描述 | Complementary Silicon Power Transistors |
| 文件大小 |
71.17 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-15 13:34:00 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N3055三极管、2N3055晶体管、2N3055晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
- 最大电流允许值：
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
e-44
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
0
- wtest：
0
2N3055规格书详情
15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 115 WATTS
Complementary silicon power transistors are designed for general−purpose switching and amplifier applications.
Features
• DC Current Gain − hFE = 20−70 @ IC = 4 Adc
• Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc
• Excellent Safe Operating Area
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
- 产品编号：
2N3055
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 3.3A，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-3
- 描述：
TRANS NPN 60V 15A TO3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
5 |
公司优势库存 热卖中!! |
询价 | ||||
ST |
23+ |
TO-3 |
2553 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
CDIL |
18+ |
TO3 |
12500 |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
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STM |
16+ |
原厂封装 |
4000 |
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isc |
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TO-3 |
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ST(意法) |
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ST(意法) |
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ON |
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TO-3 |
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ST/意法 |
22+ |
TO3 |
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