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2N1131L

LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR

LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/177

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N1131L

LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR

LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/177

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N1131L

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO5

SEME-LAB

Seme LAB

2N1131L

LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N1131L

包装:散装 封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N1131

LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR

LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/177

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N1131

MediumCurrentGeneralPurposeAmplifiersandSwitches

RAYTHEONRaytheon Company.

雷神

2N1131

LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR

LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/177

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N1131

SILICONPNPTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N1131isasiliconPNPtransistormountedinahermeticallysealedpackagedesignedformediumcurrentswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

2N1131

LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N1131A

PNPSILICONPLANARTRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N1131A

SmallSignalTransistors

SmallSignalTransistorsTO-39Case

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N1131A

MediumCurrentGeneralPurposeAmplifiersandSwitches

RAYTHEONRaytheon Company.

雷神

2N1131J

MediumCurrentGeneralPurposeAmplifiersandSwitches

RAYTHEONRaytheon Company.

雷神

JAN2N1131

LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

产品属性

  • 产品编号:

    2N1131L

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/177

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.3V @ 15mA,150mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 150mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AA,TO-5-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-5AA

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Microchip Technology
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TO-205AA,TO-5-3 金属罐
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