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2N1131 | LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/177 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | |
2N1131 | SILICON PNP TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N1131isasiliconPNPtransistormountedinahermeticallysealedpackagedesignedformediumcurrentswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central | |
2N1131 | LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/177 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | |
2N1131 | Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches | RAYTHEONRaytheon Company. 雷神 | RAYTHEON | |
2N1131 | LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | |
2N1131 | 包装：散装 封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：POWER BJT | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip | |
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LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/177 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
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PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI | ||
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LOW POWER PNP SILICONTRANSISTOR | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO5 | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
包装：散装 封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 40V TO39 | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central | ||
包装：散装 封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS TO39 | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central | ||
LOWPOWERPNPSILICONTRANSISTOR | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.6A
- 最大工作频率：
>50MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BC161,BC303,BC304,2N2904(A),2N2905(A),2N4235,2N5323,3CK9D,
- 最大耗散功率：
0.6W
- 放大倍数：
- 图片代号：
C-40
- vtest：
50
- htest：
50000100
- atest：
.6
- wtest：
.6
产品属性
- 产品编号：
2N1131
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/177
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.3V @ 15mA，150mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 150mA，10V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-39（TO-205AD）
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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