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HM2807D	文件：551.27 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HSMS-2807	文件：139.06 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TypicalapplicationsoftheseSchottkydiodesaremixing,detectin	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
IIRF2807	文件：338.77 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRF2807Z	文件：340.21 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2807	文件：338.77 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2807	文件：768.71 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. ●AdvancedProcessTe	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF2807	文件：207.45 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Id=82A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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更多2807ND-SFAP供应商更新时间2024-5-28 11:06:00

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