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1N5407	文件：178.18 Kbytes Page：1 Pages	3.0AMPS.SILICONRECTIFIERS	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
1N5407	文件：94.08 Kbytes Page：3 Pages	3AmpRectifier50-1000Volts Features •LowCurrentLeakage •MetalurgicallyBondedConstruction •LowForwardVoltage •HighCurrentCapability	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5407	文件：114.86 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASILICONRECTIFIER	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
1N5407	文件：513.37 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPS.SiliconRectifiers Features ◇Highefficiency,LowVF ◇Highcurrentcapability ◇Highreliability ◇Highsurgecurrentcapability ◇Lowpowerloss	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合明辉电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N5407	文件：279.76 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE:50---1000V CURRENT:3.0A FEATURES ◇Lowcost ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highcurrentcapability ◇EasilycleanedwithAlcohol,Isopropanolandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1N5407	文件：177.18 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMP.SiliconRectifiers Features ◇Highefficiency,LowVF ◇Highcurrentcapability ◇Highreliability ◇Highsurgecurrentcapability ◇Lowpowerloss	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5407	文件：137.07 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryRectifierDiodes Features HighforwardsurgecurrentComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications 50/60HzMainsRectification,PowerSupplies,PolarityProtectionCommercialgrade1) MechanicalData1) TapedinAmmoPack1700 Weightapprox.0.8g CasematerialUL94V-0	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N5407	文件：184.62 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER	SUNTANSUNTAN 舜天科技有限公司	SUNTAN
1N5407	文件：533.48 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦Hightem	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
1N5407	文件：142.81 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadedGeneralPurposeRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N5407	文件：102.41 Kbytes Page：3 Pages	3.0ARECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
1N5407	文件：487.67 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPGENERALPURPOSESILICONRECTIFIER-50V-1000V	PACELEADERPACELEADER 霈峯霈峯實業有限公司	PACELEADER
1N5407	文件：205.46 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposePlasticRectifiersReverseVoltage50to1200VForwardCurrent3.0A	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
1N5407	文件：122.38 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposePlasticRectifier	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 如皋市大昌如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
1N5407	文件：127.72 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERS	CTC ctconline	CTC
1N5407	文件：65.209 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT3.0Amperes FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
1N5407	文件：74.34 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposePlasticRectifier FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Foruseingeneralpurposerectifi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5407	文件：210.51 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeRectifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
1N5407	文件：122.18 Kbytes Page：2 Pages	3AGENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIER FEATURES ●LOWCOST ●UL94V0FLAMERETARDANTEPOXYMOLDINGCOMPOUND ●DIFFUSEDJUNCTION ●HIGHSURGECURRENTCAPABILITY	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
1N5407	文件：276.2 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPSILICONRECTIFIERS	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN

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产品属性

产品编号：
1N5407-B
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
25pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

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