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1N5407	文件：1.46473 Mbytes Page：2 Pages	SILICONGENERALPURPOSE3.0AMPDIODES	EDAL Edal Industries, Inc.	EDAL
1N5407	文件：49.64 Kbytes Page：2 Pages	AXIALSILASTICGUARDJUNCTIONSTANDARDRECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT3.0Ampere FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Lowforwardvoltagedrop ·Lowreverseleakage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
1N5407	文件：692.91 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-3.0Ampere FEATURES ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ●Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Hightem	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1N5407	文件：258.19 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGE50V~1000V3.0AMPSiliconRectifiers FEATURES LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability HighReliability HighSurgeCurrentCapability	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
1N5407	文件：696.61 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPS.SILICONRECTIFIERS	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
1N5407	文件：239.79 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICSILICONRECTIFIER ReverseVoltage–50to1000V ForwardCurrent–3A Features •Highcurrentcapability •Lowleakagecurrent	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5407	文件：39.97 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSILICONRECTIFIER FEATURE •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Lowpowerloss,highefficiency •Highsurgecapability •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10sec/0.375leadlengthat5lbstension	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
1N5407	文件：149.57 Kbytes Page：2 Pages	3.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERS Features ■LOWCOST ■LOWLEAKAGE ■DIFFUSEDJUNCTION ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC	FCI
1N5407	文件：52.21 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIER VOLTAGERANGE:50---1000V CURRENT:3.0A FEATURES ◇Lowcost ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highcurrentcapability ◇EasilycleanedwithAlcohol,Isopropanolandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N5407	文件：171.51 Kbytes Page：5 Pages	3.0ASTANDARDRECTIFIER 3.0AStandardRectifier Features •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighSurgeCurrentCapability •HighReliability •HighTemperatureSolderingGuaranteed260°C/10seconds/.375(9.5mm)leadlength,5lbs(2.3kg)tension •RoHScompliant	TAITRON TAITRON	TAITRON
1N5407	文件：40.66 Kbytes Page：2 Pages	SILICONRECTIFIERDIODES	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1N5407	文件：350.41 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadSiliconRectifiersSILICONRECTIFIERS3.0AMPERES50-1000VOLTS SILICONRECTIFIERS3.0AMPERES50-1000VOLTS Features: Lowforwardvoltagedrop. Highcurrentcapability. Highreliability. Highsurgecurrentcapability.	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
1N5407	文件：140.48 Kbytes Page：3 Pages	3.0AmpRectifiers Features •Lowforwardvoltagedrop. •Lowreverseleakagecurrent •Highcurrentcapability •Highsurgecurrentcapability	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
1N5407	文件：422.22 Kbytes Page：2 Pages	3ASiliconRectifiers PRODUCTSUMMARY Voltageratingsavailablefrom50Voltsto1000Volts FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
1N5407	文件：163.81 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIERVOLTAGE:50TO1000VCURRENT:3.0A VOLTAGE:50TO1000VCURRENT:3.0A FEATURE ●Moldedcasefeatureforautoinsertion ●Highcurrentcapability ●Lowleakagecurrent ●Highsurgecapability ●Hightemperaturesolderingguaranteed250°C/10sec/0.375”leadlengthat5lbstension	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
1N5407	文件：158.44 Kbytes Page：2 Pages	AXIALSILASTICGUARDJUNCTIONSTANDARDRECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT3.0Ampere FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Lowforwardvoltagedrop ·Lowreverseleakage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
1N5407	文件：503.6 Kbytes Page：4 Pages	3AmpRectifier50-1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1N5407	文件：52.1 Kbytes Page：2 Pages	HIGHCURRENTPLASTICSILICONRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5407	文件：74 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposePlasticRectifier FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Foruseingeneralpurposerectifi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5407	文件：96.42 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifierDiodes??Silizium-Gleichrichterdioden	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec

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产品属性

产品编号：
1N5407-B
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
25pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N5407-B供应商更新时间2024-6-15 16:00:00

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