1N4150中文资料下载供应商报价威世科技-114ic电子网

首页 >1N4150>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
1N4150	文件：53.23 Kbytes Page：8 Pages	High-speed diodes DESCRIPTION The1N4150and1N4151arehigh-speedswitchingdiodesfabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinhermeticallysealedleadedglassSOD27(DO-35)packages. FEATURES •Hermeticallysealedleadedglass SOD27(DO-35)package •Highswitchingspeed:max.4ns •Generalapp	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
1N4150	文件：37.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Epitaxial Planar Diode FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Lowforwardvoltagedrop •AEC-Q101qualified •Highforwardcurrentcapability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Highspeedswitchandgeneralpurposeuseincomputerandi	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N4150	文件：57.61 Kbytes Page：2 Pages	Switching diode Features 1)Glasssealedenvelope.(MSD,GSD) 2)Highspeed. 3)Highreliability. Application High-speedswitching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
1N4150	文件：47.53 Kbytes Page：1 Pages	SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Fastswithchingdiodes •1N4149,1N4447,1N4449arealsoavaibleinglasscaseDO-34	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
1N4150	文件：28.86 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Diodes FEATURES ◆SiliconEpitaxialPlanarDiode ◆Forgeneralpurposeandswitching. ◆Thisdiodeisalsoavailableinothercasestylesincluding:theSOD-123casewiththetypedesignation1N4150WandtheMiniMELFcasewiththetypedesignationLL4150.	GE GE Industrial Company	GE
1N4150	文件：23.71 Kbytes Page：1 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES Features SiliconEpitaxialPlanarDiodes forgeneralpurposeandswitching Thetypes1N4149,1N4447and1N4449arealsoavailable inglasscaseDO-34.	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
1N4150	文件：50.05 Kbytes Page：1 Pages	FAST SWITCHING DIODE Features •IdealforFastLogicApplications •UltraFastSwitching •HighReliability •HighConductance	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
1N4150	文件：88.4 Kbytes Page：2 Pages	200mA Low Power, Switching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N4150	文件：26.05 Kbytes Page：3 Pages	High Conductance Ultra Fast Diode HighConductanceUltraFastDiodes •trr...4.0ns(MAX) •VF...1.0V(MAX)@200mA	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
1N4150	文件：171.91 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Planar Diodes UltrafastRecoveryRectifierDiodes Features Veryhighswitchingspeed Lowjunctioncapacitance Lowleakagecurrent ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing, High-speedswitching Commercialgrade1) MechanicalDa	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N4150	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicon diode SILICONDIODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
1N4150	文件：38.69 Kbytes Page：3 Pages	Switching diode Features 1)Glasssealedenvelope.(MSD,GSD) 2)Highspeed. 3)Highreliability. Application High-speedswitching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
1N4150	文件：128.699 Kbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE HIGHSPEEDSILICONSWITCHINGDIODE FEATURES GeneralPurposeusedinComputerandIndustrialApplications	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
1N4150	文件：173.93 Kbytes Page：2 Pages	SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE VOLTAGERANGE:50V CURRENT:150mA FEATURES ◇Siliconepitaxialplanardiode ◇Highspeedswitchingdiode ◇500mWpowerdissipation MECHANICALDATA ◇Case:DO-35,glasscase ◇Polarity:Colorbanddenotescathode ◇Weight:0.004ounces,0.13grams	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N4150	文件：29.37 Kbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED SWITCHING DIODE FEATURES: •Highswitchingspeed:max.4ns •Continuousreversevoltage:max.50V •Repetitivepeakreversevoltage:max.75V •Repetitivepeakforwardcurrent:max.600mA •Pb/RoHSFree MECHANICALDATA: Case:DO-35GlassCase Weight:approx.0.13g	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1N4150	文件：60.24 Kbytes Page：2 Pages	FAST SWITCHING SURFACE MOUNT DIODES VOLTAGE50VoltPOWER500mWatt FEATURES •FastswitchingSpeed. •SurfaceMountPackageIdeallySuitedForAutomaticInsertion. •SiliconEpitaxalPlanarConstruction. •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective MECHANICALDATA •Case:MiniMelf,Glass •Terminals:Soldera	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N4150	文件：364.25 Kbytes Page：2 Pages	500mW 75 Volt Silicon Epitaxial Diode Features •LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation) •LowCurrentLeakage •CompressionBondConstruction •LowCost •Marking:Cathodebandandtypenumber •MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1N4150	文件：88.06 Kbytes Page：1 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE SiliconExpitxialPlanarDiode forgeneralpurposeandswitching. Thetypes1N4149,1N4447and1N4449arealsoavaible inglasscaseDO-34	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N4150	文件：180.37 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF HIGH SPEED SWITCHING DIODES VOLTAGERANGE-50to100VoltsCURRENT-0.075to0.2Ampere FEATURES Siliconepitaxialplanardiodes Lowleakage Lowforwardvoltage Highspeedswitching Highcurrentcapability Highreliability *Lowpowerloss,highefficiency	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
1N4150	文件：147.61 Kbytes Page：3 Pages	COMPUTER DIODE Switching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

12 3 4 5 6 >>>

产品属性

产品编号：
1N4150
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
2.5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市芯诚实创科技有限公司	1N4150	VISHAY	2022	LL-34 / SOD-80	1600	全新原装,房间现货	询价
深圳新景润电子科技有限公司	1N4150	群鑫	22+	DO-34/DO-35/SOD123	30000	原装正品一级代理	询价
深圳市毅创辉电子科技有限公司	1N4150	Fairchild Semiconductor	23+	SOIC-24	6000	15年原装正品企业	询价
深圳市深创辉科技有限公司	1N4150	N/A			7738	原装正品长期供货，如假包赔包换徐小姐13714450367	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	1N4150	ON	23+	DO-35	9896		询价
深圳市一线半导体有限公司	1N4150	VISHAY	2008++	LL-34SOD-80	10000	新进库存/原装	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	1N4150	FSC	23+	DO-35	30000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市博浩通科技有限公司	1N4150	Fairchild	23+	DO-35	7750	全新原装优势	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	1N4150	FSC	2339+	N/A	5642	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	1N4150	GOOD-ARK	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价

更多1N4150供应商更新时间2024-6-1 14:30:00

产品属性

相关规格书

相关库存