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1N4448TAP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N4448	文件：57.87 Kbytes Page：8 Pages	High-speeddiodes DESCRIPTION The1N4148,1N4446,1N4448arehigh-speedswitchingdiodesfabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinhermeticallysealedleadedglassSOD27(DO-35)packages. FEATURES •Hermeticallysealedleadedglass SOD27(DO-35)package •Highswitchingspeed:max.4ns •Genera	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
1N4448	文件：44.05 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodes FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Electricallyequivalentdiodes:1N4148-1N914 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Extremefastswitches	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N4448	文件：11.68 Kbytes Page：1 Pages	SIGNALDIODE	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
1N4448	文件：57.61 Kbytes Page：2 Pages	Switchingdiode Features 1)Glasssealedenvelope.(MSD,GSD) 2)Highspeed. 3)Highreliability. Application High-speedswitching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
1N4448	文件：233.26 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE? Features SiliconEpitaxialPlanarDiodefastswitchingdiode. ThisdiodeisalsoavailableinMiniMELFcasewiththetypedesignationLL4448.	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N4448	文件：78.81 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiode SmallSignalDiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
1N4448	文件：190.69 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSWITCHINGDIODE FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Fastswithchingdiodes •500mWpowerdissipation •ThediodeisalsoavailableintheMini-MELFcasewiththetypedesignationLL4448	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
1N4448	文件：57.91 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGDIODE Features •FastSwitchingSpeed •GeneralPurposeRectification •SiliconEpitaxialPlanarConstruction •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
1N4448	文件：180.37 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFHIGHSPEEDSWITCHINGDIODES VOLTAGERANGE-50to100VoltsCURRENT-0.075to0.2Ampere FEATURES Siliconepitaxialplanardiodes Lowleakage Lowforwardvoltage Highspeedswitching Highcurrentcapability Highreliability *Lowpowerloss,highefficiency	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
1N4448	文件：144.58 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiodes FEATURES ◆SiliconEpitaxialPlanarDiode ◆Fastswitchingdiode. ◆Thisdiodeisalsoavailableinothercasestylesincluding:theSOD-123casewiththetypedesignation1N4448W,theMiniMELFcasewiththetypedesignationLL4448,andtheSOT23casewiththetypedesignationIMBD4448.	GE GE Industrial Company	GE
1N4448	文件：235.78 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE Features SiliconEpitaxialPlanarDiodefastswitchingdiode. ThisdiodeisalsoavailableinMiniMELFcasewiththetypedesignationLL4448.	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
1N4448	文件：32.87 Kbytes Page：1 Pages	COMPUTERDIODESwitching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N4448	文件：36.83 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingDiode HighSpeed Features -FastSwitchingSpeed -GeneralPurposeRectification -SiliconEpitaxialPlanarConstruction	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N4448	文件：147.61 Kbytes Page：3 Pages	COMPUTERDIODESwitching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N4448	文件：171.91 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarDiodes UltrafastRecoveryRectifierDiodes Features Veryhighswitchingspeed Lowjunctioncapacitance Lowleakagecurrent ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing, High-speedswitching Commercialgrade1) MechanicalDa	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N4448	文件：45.9 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodes	TemicTEMIC 杰驰电子	Temic
1N4448	文件：38.69 Kbytes Page：3 Pages	Switchingdiode Features 1)Glasssealedenvelope.(MSD,GSD) 2)Highspeed. 3)Highreliability. Application High-speedswitching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
1N4448	文件：336.14 Kbytes Page：10 Pages	GeneralPurposeDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
1N4448	文件：685.72 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSwitchingDiodes SurfaceMountSwitchingDiodes Features: SiliconEpitaxialPlannerDiode FastSwitchingDiodes *500mWPowerDissipation	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON

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产品属性

产品编号：
1N4448TAP
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
150mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35（DO-204AH）
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

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