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1N1186RA	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
1N1186	文件：160.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-PowerRectifiers Silicon-PowerRectifiers •Nominalcurrent35A •Repetitivepeakreversevoltage50~1000V •MetalcaseDO-5 •Weightapprox.6g •Standardpolarity:Cathodetostud •IndexR:Anodetostud •Standardpackaging:bulk	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N1186	文件：128.81 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier •GlassPassivatedDie •800Asurgerating •Glasstometalconstruction •VRRMto1000V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1186	文件：377.04 Kbytes Page：5 Pages	35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes 35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
1N1186	文件：132.23 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1186	文件：129.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Rectifiers	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N1186	文件：298.56 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier •GlassPassivatedDie •800Asurgerating •Glasstometalconstruction •VRRMto1000V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N1186	文件：123.92 Kbytes Page：3 Pages	HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1186	文件：297.27 Kbytes Page：8 Pages	PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N1186	文件：113.39 Kbytes Page：2 Pages	MilitarySiliconPowerRectifier HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER QualifiedperMIL-PRF-19500/297 •GlassPassivatedDie •GlasstoMetalSealConstruction •500AmpsSurgeRating •VRRMto1000Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1186	文件：274.18 Kbytes Page：6 Pages	PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A DESCRIPTION/FEATURES •Lowleakagecurrentseries •Goodsurgecurrentcapabilityupto1000A •Canbesuppliedtomeetstringentmilitary,aerospaceandotherhighreliabilityrequirements •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N1186	文件：703.86 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50to300VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1186	文件：124.01 Kbytes Page：3 Pages	STANDARDRECOVERYRECTIFIER STANDARDRECOVERYRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N1186	文件：407.24 Kbytes Page：2 Pages	DEVICEHIGHPOWERSTANDARD Features •HighSurgeCapability •Typesupto1000V	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
1N1186	文件：722.79 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1186	文件：559.99 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryDiode,35A	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
1N1186	文件：770.26 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1186A	文件：798.35 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1186A	文件：675.82 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1186A	文件：798.34 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

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详细参数

型号：
1N1186RA
功能描述：
DIODE STD REC 200V 40A DO-5
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列：
-
标准包装：
100
二极管类型：
标准电压
-(Vr)（最大）：
50V 电流 -
平均整流(Io)：
6A 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
1.4V @ 6A
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)：
300ns 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
15µA @ 50V 电容@ Vr,
F：
-
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装：
DO-203AA
包装：
散装
其它名称：
*1N3879

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	1N1186RA	VIS			200		询价
深圳市博浩通科技有限公司	1N1186RA	VISHAY	23+	DO-4	7750	全新原装优势	询价
上海金庆电子技术有限公司	1N1186RA	VishayPCS	新		5	全新原装货期两周	询价
深圳市宝芯创电子有限公司	1N1186RA	MOTOROLA	18+	DO5	12500	全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配	询价
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深圳市维尔达电子有限公司	1N1186RA	MICROSEMI	2023+		80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
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深圳市兴灿科技有限公司	1N1186RA	MICROSEMI	23+	螺丝	568		询价
深圳市大联智电子有限公司	1N1186RA	MICROSEMI	2022+	MODULE	7300	原装现货	询价

更多1N1186RA供应商更新时间2024-5-16 16:30:00

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