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IPS04N03LA	文件：434.02 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPS04N03LBG	文件：417.75 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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PJ04N03D	文件：254.91 Kbytes Page：5 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=4mΩ •RDS(ON),VGS@5.0V,IDS@24A=6mΩ •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •Incompliance	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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