FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

425 毫欧 @ 1.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

11 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

344 pF @ 75 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

1.6W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SuperSOT™-6

封装/外壳

SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

基本产品编号

FDC2512