Vishay/Siliconix SQJQ184E汽车用N沟道MOSFET的额定漏极-源极电压 (VDS) 为80V，在VGS = 10V时RDS(on)低至0.0014Ω。SQJQ184E符合AEC-Q101标准，具有-55°C至+175°C的宽工作结温范围，非常适合汽车应用。Vishay/Siliconix SQJQ184E汽车N沟道MOSFET采用紧凑型PowerPAK® 8 x 8L封装，无卤、无铅，符合RoHS指令。
特性

_TrenchFET® Gen IV功率MOSFET
_符合AEC-Q101标准

_通过Rg和UIS测试
_薄型1.9mm高度

规范

_最大漏极-源极电压 (VDS)：80V
_最大栅极-源极电压 (VGS)：±20V
_漏极-源极导通电阻 (RDS(on))
_VGS = 10V、ID = 20A时，典型值：0.0011Ω，最大值：0.0014Ω
_VGS = 10V、ID = 20A、TJ = 125°C时，最大值：0.0026Ω
_VGS = 10V、ID = 20A、TJ = 175°C时，最大值：0.0033Ω
_连续漏极电流 (ID)：430A（TC = 25°C时）或250A（TC = 125°C时）
_脉冲漏极电流 (IDM)：1200A
_最大功率耗散 (PD)：600W（TC = 25°C时）或200W（TC = 125°C时）

_工作结温 (TJ) 和储存温度范围 (Tstg)：-55°C至+175°C
_总栅极电荷 (Qg)：VGS = 10V、VDS = 40V、ID = 50A时，典型值：181nC，最大值：272nC
_栅极-源极电荷 (Qgs)：VGS = 10V、VDS = 40V、ID = 50A时，典型值：51nC
_栅极-漏极电荷 (Qgd)：VGS = 10V、VDS = 40V、ID = 50A时，典型值：36nC

应用

_汽车
_适配器和充电器

_负载开关
_DC-DC转换器