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ZVN2120A	文件：45.8 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET FEATURES 200VoltVDS RDS(on)=10Ω	Zetex Zetex Semiconductors
ZVN2120A	文件：131.42 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET FEATURES 200VoltVDS RDS(on)=10Ω	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZVN2120C	文件：44.55 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET FEATURES 200VoltVDS RDS(on)=10Ω	Zetex Zetex Semiconductors
ZVN2120C	文件：512 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET FEATURES 200VoltVDS RDS(on)=10Ω	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZVN2120G	文件：40.43 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET FEATURES: VDS-200V RDS(ON)-10Ω	Zetex Zetex Semiconductors
ZVN2120G	文件：51.44 Kbytes Page：3 Pages	SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET FeaturesandBenefits •V(BR)DSS>200V •RDS(ON)≤10Ω@VGS=10V •MaximumContinuousDrainCurrentID=0.32A •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability Applications •	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZVN2120GTA	文件：51.44 Kbytes Page：3 Pages	SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET FeaturesandBenefits •V(BR)DSS>200V •RDS(ON)≤10Ω@VGS=10V •MaximumContinuousDrainCurrentID=0.32A •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability Applications •	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZVN2120G_15	文件：601.76 Kbytes Page：6 Pages	200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL MOSFET IN SOT223	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
212	文件：346.96 Kbytes Page：2 Pages	CTS212RotarySwitch	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司
212	文件：199.74 Kbytes Page：2 Pages	M8Male3PinFieldAttachable	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
212	文件：266.18 Kbytes Page：5 Pages	DirectreplacementforT1쩐LilliputEdisonScrewE5	MARL Marl International Ltd
212HR	文件：199.74 Kbytes Page：2 Pages	M8Male3PinFieldAttachable	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
212XK	文件：4.89948 Mbytes Page：122 Pages	E-Z-Hookisdedicatedtoprovidingqualityparts,deliveredon-timeatreasonableprices	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
212XM	文件：4.89948 Mbytes Page：122 Pages	E-Z-Hookisdedicatedtoprovidingqualityparts,deliveredon-timeatreasonableprices	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
A212EHI	文件：223.66 Kbytes Page：2 Pages	A200EHISERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)
A212EHI	文件：190.7 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,MiniatureDIP2W,VeryHighIsolationDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)
A212R	文件：94.47 Kbytes Page：2 Pages	Compact,Regulated,2WSingle&DualOutputDC/DCConverters KeyFeatures: ●2WOutputPower ●CompactDIPCase ●500VDCIsolation ●TightLine/LoadRegulation ●Single&DualOutputs ●20StandardModels ●1.0MHMTBF ●IndustryStandardPin-Out	MPD MPD (Memory Protection Devices)
A212RHI	文件：184.31 Kbytes Page：2 Pages	VeryHighIsolation,2WSingle&DualOutputDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)
A212RHI	文件：201.6 Kbytes Page：2 Pages	A200RHI	MPD MPD (Memory Protection Devices)
A212RI	文件：80.96 Kbytes Page：2 Pages	HighIsolation,2W&3WSingle&DualOutputDC/DCConverters KeyFeatures: ●2W&3WOutputPower ●CompactDIPCase ●3,000VDCIsolation ●TightLine/LoadRegulation ●Single&DualOutputs ●17StandardModels ●800kHMTBF ●IndustryStandardPin-Out	MPD MPD (Memory Protection Devices)

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详细参数

型号：
ZVN212
功能描述：
MOSFET N-Chnl 200V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	ZVN2120A	ZETEX	2017+		26589	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	ZVN2120A	ZETEX	17+	E-Line	5810	只做原装正品	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	ZVN2120A		23+	N/A	35800	正品授权货源可靠	询价
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深圳市维尔达电子有限公司	ZVN2120A	ZETEX	2023+		80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	ZVN2120A	ZETEX	21+		35200	一级代理/放心采购	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	ZVN2120A	ZETEX	08+		8500	普通	询价
深圳市仟禧电子有限公司	ZVN2120A	ZETEX/DIODES	22+	TO92	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市振芯物联科技有限公司	ZVN2120A	ZETEX	22+	TO-92	32350	原装正品假一罚十公司现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	ZVN2120A	ZETEX	21+	NA	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

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