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ZDT1048	文件：57.03 Kbytes Page：3 Pages	DUAL NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS Summary BVCEO > 17.5V IC(cont) = 5A VCE(sat) Description Advanced process capability has been used to achieve this high performance device. Combining two NPN transistors in the SM-8 package provides a compact solution for the intended applications. Features • Dual NPN device 文件：57.03 Kbytes 页数：3 Pages	Zetex	Zetex
ZDT1048	文件：345.76 Kbytes Page：6 Pages	SM-8 Dual NPN medium power high gain transistors Summary BVCEO > 17.5V IC(cont) = 5A VCE(sat) Description Advanced process capability has been used to achieve this high performance device. Combining two NPN transistors in the SM-8 package provides a compact solution for the intended applications. Features • Dual NPN device 文件：345.76 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZDT1048	文件：335.36 Kbytes Page：6 Pages	SM-8 Dual NPN medium power high gain transistors 文件：335.36 Kbytes 页数：6 Pages	Zetex	Zetex
ZDT1048	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual NPN, 17.5V, 5A, SM-8 Advanced process capability has been used to achieve this high performance device. Combining two NPN transistors in the SM-8 package provides a compact solution for the intended applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZDT1048TA	文件：345.76 Kbytes Page：6 Pages	SM-8 Dual NPN medium power high gain transistors Summary BVCEO > 17.5V IC(cont) = 5A VCE(sat) Description Advanced process capability has been used to achieve this high performance device. Combining two NPN transistors in the SM-8 package provides a compact solution for the intended applications. Features • Dual NPN device 文件：345.76 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZDT1048_07	文件：335.36 Kbytes Page：6 Pages	SM-8 Dual NPN medium power high gain transistors 文件：335.36 Kbytes 页数：6 Pages	Zetex	Zetex
ZDT1048_15	文件：345.76 Kbytes Page：6 Pages	SM-8 Dual NPN medium power high gain transistors 文件：345.76 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZDT1048TA	文件：335.36 Kbytes Page：6 Pages	SM-8 Dual NPN medium power high gain transistors 文件：335.36 Kbytes 页数：6 Pages	Zetex	Zetex

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Polarity：
NPN + NPN
IC (A)：
5
ICM (A)：
20
PD (W)：
2.75
hFE (Min)：
300
hFE (@ IC) (A)：
0.5
hFE(Min 2)：
250
hFE (@ IC2) (A)：
5
VCE(sat) Max (mV)：
75
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
300
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
5/50
fT (MHz)：
150
Packages：
SM-8

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