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8205	文件：963.82 Kbytes Page：8 Pages	DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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8205	文件：161.84 Kbytes Page：2 Pages	Electronic,2C#20StrTC,PVCIns,PVCJkt,CMG ProductDescription Electronic,2Conductor20AWG(7x28)TinnedCopper,PVCInsulation,PVCOuterJacket,CMG	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
8205A	文件：329.03 Kbytes Page：3 Pages	20VN-ChannelEnhancementMOSFET	FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd. 富满微富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
8205A	文件：217.02 Kbytes Page：5 Pages	5A20VN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
8205A	文件：821.7 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
8205A	文件：963.84 Kbytes Page：8 Pages	DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
8205A	文件：3.55627 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURE zTrenchFETPowerMOSFET zExcellentRDS(on) zLowGateCharge zHighPowerandCurrentHandingCapability zSurfaceMountPackage APPLICATION zBatteryProtection zLoadSwitch zPowerManagement	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
8205A	文件：1.86043 Mbytes Page：3 Pages	DualN-ChannelEnhancementPowerMosfet ProductSummary Vos=20V,ID=6A RDS(ON),19.5m2(Typ)@VGS=4.5V RDS(ON),25m2(Typ)@VGS=2.5V TrenchPowerTechnology LowRDS(ON) LowGateCharge OptimizedforFast-switchingApplications	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

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