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XP162A12A6PR	文件：52.79 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS FET 文件：52.79 Kbytes 页数：4 Pages	TOREX 特瑞仕	TOREX
XP162A12A6PR	文件：434.31 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：434.31 Kbytes 页数：5 Pages	TOREX 特瑞仕	TOREX
XP162A12A6PR	文件：293.13 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：293.13 Kbytes 页数：5 Pages	TOREX 特瑞仕	TOREX
XP162A12A6PR	文件：984.59 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：984.59 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
XP162A12A6PR_1	文件：434.31 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：434.31 Kbytes 页数：5 Pages	TOREX 特瑞仕	TOREX
XP162A12A6PR_12	文件：293.13 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：293.13 Kbytes 页数：5 Pages	TOREX 特瑞仕	TOREX
XP162A12A6PR-12	文件：293.13 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：293.13 Kbytes 页数：5 Pages	TOREX 特瑞仕	TOREX
XP162A12A6PR-G	文件：293.13 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：293.13 Kbytes 页数：5 Pages	TOREX 特瑞仕	TOREX
XP162A12A6PR	文件：300 bytes Page：1 Pages	-20V -2.5A P沟道功率MOS FET The XP162A12A6PR is an P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics. \n\n Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. \n\n In order to counter static, a gate protect diode is built-in.	Torex 特瑞仕	Torex

更多XP162A12A6P供应商更新时间2025-11-18 15:28:00