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SM2318NSA	文件：487.23 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SMG2318N	文件：492.26 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SMG2318N	文件：474.93 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
SPA-2318	文件：268.64 Kbytes Page：6 Pages	2150MHz1WattPowerAmplifierwithActiveBias ProductDescription StanfordMicrodevices’SPA-2318isahighefficiencyGaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableand	STANFORDStanford Microdevices Stanford Microdevices	STANFORD
SPA-2318	文件：201.79 Kbytes Page：9 Pages	1700-2200MHz1WattPowerAmpwithActiveBias ProductDescription SirenzaMicrodevices’SPA-2318isahighefficiencyGaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableandc	SIRENZASIRENZA 圆通微波上海圆通微波电子有限公司	SIRENZA
SPA2318Z	文件：646.91 Kbytes Page：8 Pages	1700MHzto2200MHz1WATTPOWERAMPWITHACTIVEBIAS	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SPA-2318Z	文件：201.79 Kbytes Page：9 Pages	1700-2200MHz1WattPowerAmpwithActiveBias ProductDescription SirenzaMicrodevices’SPA-2318isahighefficiencyGaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableandc	SIRENZASIRENZA 圆通微波上海圆通微波电子有限公司	SIRENZA
SPA2318ZSQ	文件：646.91 Kbytes Page：8 Pages	1700MHzto2200MHz1WATTPOWERAMPWITHACTIVEBIAS	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SPA2318ZSR	文件：646.91 Kbytes Page：8 Pages	1700MHzto2200MHz1WATTPOWERAMPWITHACTIVEBIAS	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SPN2318	文件：216.01 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. SYNC POWER Crop.	SYNC-POWER
SPN2318W	文件：339.68 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. SYNC POWER Crop.	SYNC-POWER
SQ2318AES	文件：244.65 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel30V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：278.05 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：291.03 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel12V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：256.279 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：279.26 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel40V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：280.23 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：277.11 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel40V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：222.15 Kbytes Page：10 Pages	AutomotiveP-Channel20V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ2318AES	文件：281.78 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveN-Channel40V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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