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H11C3	文件：415.62 Kbytes Page：5 Pages	photoscroptocouplers	QT QT Brightek (QTB)
H11C3	文件：589.45 Kbytes Page：11 Pages	PHOTOSCROPTOCOUPLERS DESCRIPTION TheH11Cseriesconsistsofagallium-arsenideinfraredemittingdiodeopticallycoupledwithalightactivatedsiliconcontrolledrectifierinadual-in-linepackage FEATURES •Highefficiency,lowdegradation,liquidepitaxialLED •UnderwritersLaboratory(UL)recogniz	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
H11C3	文件：108.27 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerDiode1.7to37.2Volts Features •LowLeakage •LowZenerImpedance •HighReliability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
H11C3	文件：44.23 Kbytes Page：1 Pages	PhotoSCR PhotoSCR SingleChannelDip,PhotoSCR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
HZ11C3	文件：261.899 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANERZENERDIODES forstabilizedpowersupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
HZ11C3	文件：385.79 Kbytes Page：4 Pages	Glass-EncapsulateDiodes	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司
HZ11C3	文件：55.92 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HZ11C3	文件：45.1 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
HZS11C3	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HZU11C3L	文件：77.04 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforLowNoiseApplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
RKZ11C3KD	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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