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BR50N10	文件：866.59 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
CEB50N10	文件：430.82 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,50A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEB50N10	文件：642.37 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,50A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP50N10	文件：642.37 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,50A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP50N10	文件：430.82 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,50A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
EMB50N10A	文件：231.19 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB50N10G	文件：183.2 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)50mΩ ID7A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB50N10S	文件：191.1 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)50mΩ ID8A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FLX50N10	文件：109.45 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltagePowerSupplies	TDKTDK Corporation 东电化（中国）投资有限公司	TDK
HM50N10K	文件：629.03 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
LG50N10	文件：947.72 Kbytes Page：5 Pages	HighdensitycelldesignforultralowRdson	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MSAEZ50N10A	文件：48.38 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features •Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) •Ruggedpolysilicongatecellstructure •IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability •Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage •Lowpackageinductance •Verylowthermalresistance •Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSAFZ50N10A	文件：48.38 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features •Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) •Ruggedpolysilicongatecellstructure •IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability •Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage •Lowpackageinductance •Verylowthermalresistance •Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSD50N10	文件：271.03 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MTE50N10BFP	文件：447.75 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTE50N10FP	文件：303.9 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
PJD50N10	文件：378.86 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD50N10AL	文件：434.48 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD50N10AL-AU	文件：416.37 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
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