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WPM3012

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter

文件:499.27 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

WPM3012

Single P-Channel, -30V, -3.1A, Power MOSFET

文件:396.51 Kbytes 页数:7 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

WPM3012

场效应晶体管

OmniVision

豪威集团

WPM3012-3/TR

丝印:W32A;Package:SOT-23;Single P-Channel, -30V, -3.1A, Power MOSFET

文件:396.51 Kbytes 页数:7 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

WPM3012-3SLASHTR

丝印:W32A;Package:SOT-23;Single P-Channel, -30V, -3.1A, Power MOSFET

文件:396.51 Kbytes 页数:7 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

技术参数

  • Package:

    SOT-23

  • Size(W×L×H)(mm)(Max.):

    3.1*2.7*1.3

  • Configuration:

    Single P

  • VDS(V) (Max.):

    -30

  • VGS(V) (Max.):

    20

  • VGS(th)(V)(Typ.):

    -1.90

  • RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)(Typ.):

    42.0

  • RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)(Max.):

    53.0

  • RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Typ.):

    64.0

  • RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Max.):

    93.0

  • ID@TA = 25°C(A) (Max.):

    -4.60

  • RJA(℃/W)(Max):

    74.0

  • RJC(℃/W)(Max):

    47.0

  • PD@TA= 25℃(W) (Max):

    1.70

  • Ciss(pF) (Typ):

    366.00

  • Coss(pF) (Typ):

    62.00

  • Crss(pF) (Typ):

    54.00

  • Qg(TOT)(nC)(Typ.):

    12.00

  • Qgd(nC)(Typ):

    2.37

  • Td(on)(ns)(Typ):

    5.60

  • Td(off)(ns)(Typ):

    31.90

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多WPM3012供应商 更新时间2025-10-5 14:14:00