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STB24NM65N	文件：552.37 Kbytes Page：19 Pages	N-channel650V-0.16廓-19A-TO-220-TO-220FP-D2PAKI2PAK-TO-247secondgenerationMDmesh??PowerMOSFET Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STB24NM65N	文件：314.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •LowDrain-SourceOn-Resistance FEATURES •DrainCurrent–ID=19A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=190mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandr	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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