选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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WINBONDVFBGA60 |
50000 |
21+ |
全新原装 鄙视假货15118075546 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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WINBONDBGA |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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WINBONDBGA |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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WINBOND/华邦NA |
880000 |
12+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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WINBOND/华邦TFBGA60 |
1160 |
14+ |
全新原装 实单必成 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Winbond Electronics60-TFBGA |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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Winbond Electronics60VFBGA (8x9) |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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万三科技(深圳)有限公司4年
留言
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华邦NA |
500000 |
22+ |
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万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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winbond(华邦)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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WINBOND |
36 |
2012 |
进口原装-真实库存-价实 |
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深圳市云美电子科技有限公司1年
留言
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WinbondBGA |
5100 |
22+ |
原装进口现货假一赔十 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司11年
留言
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WinbondBGA |
5100 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Winbond Electronics60VFBGA (8x9) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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WINBONDTFBGA60 |
23569 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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Winbond Electronics60-VFBGA(8x9) |
56200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Winbond Electronics60VFBGA (8x9) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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WINBONDTFBGA60 |
4856 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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WINBOND/华邦TFBGA60 |
6895 |
2023+ |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Winbond Electronics60VFBGA (8x9) |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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WINBOND60-BGA |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
W948D6FBHX5E采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
W948D6FBHX5E图片
W948D6FBHX5E中文资料Alldatasheet PDF
更多W948D6FBHX5E功能描述:IC LPDDR SDRAM 256MBIT 60VFBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6
W948D6FBHX5ETR制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M MDDR, X16, 200MHZ
产品属性
- 产品编号:
W948D6FBHX5E
- 制造商:
Winbond Electronics
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:
256Mb(16M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:
-25°C ~ 85°C(TC)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
60-TFBGA
- 供应商器件封装:
60-VFBGA(8x9)
- 描述:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60VFBGA