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M8440	文件：295.31 Kbytes Page：1 Pages	Heyco짰-TiteLiquidTightCordgrips	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MAN8440	文件：478.23 Kbytes Page：5 Pages	0.800-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS 0.800-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MAN8440	文件：453.28 Kbytes Page：4 Pages	0.800-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS	QT QT Optoelectronics	QT
NCV8440	文件：154.27 Kbytes Page：8 Pages	ProtectedPowerMOSFET2.6A,52V,N?묬hannel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCV8440	文件：89.91 Kbytes Page：9 Pages	ProtectedPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCV8440	文件：173.41 Kbytes Page：9 Pages	ProtectedPowerMOSFET2.6A,52V,N−Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtection Features •DiodeClampBetweenGateandSource •ESDProtection−HumanBodyModel5000V •ActiveOver−VoltageGatetoDrainClamp •ScalabletoLowerorHigherRDS(on) •InternalSeriesGateResistance •ThesearePb−FreeDevices Benefits •HighEnergyCapabilityforInductiveLoads •L	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCV8440A	文件：173.41 Kbytes Page：9 Pages	ProtectedPowerMOSFET2.6A,52V,N−Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtection Features •DiodeClampBetweenGateandSource •ESDProtection−HumanBodyModel5000V •ActiveOver−VoltageGatetoDrainClamp •ScalabletoLowerorHigherRDS(on) •InternalSeriesGateResistance •ThesearePb−FreeDevices Benefits •HighEnergyCapabilityforInductiveLoads •L	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NCV8440ACWP	文件：62.15 Kbytes Page：2 Pages	ProtectedPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
VTB8440H
制造商：
Excelitas Technologies Corporation
功能描述：
PHOTO DIODE; Wavelength of Peak
Sensitivity：
920nm; Angle of Half Sensitivity
：
50; Dark
Current：
2nA; Diode Case
Style：
Radial Leaded; No. of
Pins：
2; Operating Temperature
Min：
-20C; Operating Temperature
Max：
75C;
Sensitivity：
0.1A/W ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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