VTB Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Small area planar silicon photodiode in a lensed, dual lead TO-46 package. Cathode is common to the case. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response.

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PerkinElmer

VTB Process Photodiode

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etc未分类制造商etc2未分类制造商

蓝光增强型硅光电二极管

VTB1113BH硅光电二极管的感光面积为1.6 mm2。\n\n此光电二极管主要在光伏模式下使用，但也可以在较小的反向偏压下工作。它采用极高分流电阻的设计，因此在高增益互阻抗运放电路中使用时偏置量较小。\n\n功能与优点：\n\n可见光光谱范围\n\n在70至90年内保持1%-2%的线性度\n\n极弱暗电流\n\n极高分流电阻\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域：\n\n环境光传感\n\n光照度计\n\n火焰监测\n\n光度测定 • 感光面积 = 1.6 mm2• 短路电流=在100fc，2850K时，最小值为3 µA，• 暗电流 = 最大值20 pA（反向偏压为2 V时）• 结电容 = 典型值0.31 nF（偏压为0 V时）• 光谱范围 = 330 nm至720 nm• 峰值光谱响应=580 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,29A/W• 角响应 = ±15度（50%响应时）;

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蓝光增强型硅光电二极管

此硅光电二极管为蓝光增强型硅光电二极管，感光面积为1.6mm2，其设计旨在实现320nm至1100nm之间的最佳光谱响应。\n\n此系列P-on-N硅平面光电二极管的设计旨在实现在可见光光谱范围内的最佳响应。\n\n这些光电二极管主要在光伏模式下使用，但也可以在较小的反向偏压下工作。它们采用极高分流电阻的设计，因此在高增益互阻抗运放电路中使用时偏置量较小。\n\n功能与优点：\n\nUV至近IR光谱范围\n\n在70至90年内保持1%-2%的线性度\n\n极弱暗电流\n\n极高分流电阻\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域：\n\n蓝光传感\n\n光照度计\n\n火焰监测\n • 感光面积 = 1.6 mm2• 短路电流=在100fc，2850K时，最小值为30 µA，• 暗电流 = 最大值20 pA（反向偏压为2 V时）• 结电容 = 典型值0.31 nF（偏压为0 V时）• 光谱范围 = 320 nm至1100 nm• 峰值光谱响应=920 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,5A/W• 角响应 = ±15度（50%响应时）;

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Package：径向，带透镜的金属罐，TO-46-2；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述：SENSOR PHOTODIODE 580NM RADIAL

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Package：径向，带透镜的金属罐，TO-46-2；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述：SENSOR PHOTODIODE 920NM RADIAL

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