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VT6T12	文件：191.23 Kbytes Page：3 Pages	Marking：T2R；Package：VMT6；Power management (dual transistors)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MP6T12	文件：378.79 Kbytes Page：6 Pages	MidiumPowerTransistors(-50V/-1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SM6T12	文件：1.55592 Mbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR Features GlassPassivatedDieConstruction Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingCapability FastResponseTime PlasticMaterial:ULFlammability ClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SM6T12A	文件：2.69845 Mbytes Page：5 Pages	600WattsSurfaceMountTVS DESCRIPTION Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOSTechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:600W	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SM6T12A	文件：1.55592 Mbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR Features GlassPassivatedDieConstruction Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingCapability FastResponseTime PlasticMaterial:ULFlammability ClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SM6T12A	文件：128.24 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountTRANSZORBTransientVoltageSuppressors FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •600Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform •Availableinuni-directionalandbi-directional •Excellentclampingcapability •Lowinductance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-0	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SM6T12A	文件：107.97 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountTRANSZORBTransientVoltageSuppressors FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •600Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform •Availableinuni-directionalandbi-directional •Excellentclampingcapability •Lowinductance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-0	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SM6T12A	文件：108.31 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountTRANSZORBTransientVoltageSuppressors FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •600Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform •Availableinuni-directionalandbi-directional •Excellentclampingcapability •Lowinductance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-0	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SM6T12A	文件：111.21 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountTRANSZORB®TransientVoltageSuppressors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SM6T12A	文件：36.63 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountTRANSZORBTransientVoltageSuppressors FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •600Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Lowinducta	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
VT6T12
制造商：
ROHM
制造商全称：
Rohm
功能描述：
Power management(dual transistors)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VT6T12供应商更新时间2025-7-17 17:53:00

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