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VSD007N06MS-G数据手册Vergiga中文资料规格书

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厂商型号

VSD007N06MS-G

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名称

威兆半导体 深圳市威兆半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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VSD007N06MS-G规格书详情

描述 Description

N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于马达驱动、电池保护等领域。

特性 Features

1.VitoMOSⅡ 技术
2.极低的Qg
3.更低的导通损耗和开关损耗
4.100%雪崩测试

技术参数

  • 制造商编号

    :VSD007N06MS-G

  • 生产厂家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :60.00

  • bVGS[V]

    :20.00

  • vth_min

    :1.40

  • vth_max

    :2.50

  • ID[A]

    :88.00

  • PD[W]

    :75.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V

    :4.80

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V

    :7.80

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V

    :0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V

    :0.00

  • Ciss

    :1895.00

  • Coss

    :920.00

  • Crss

    :35.00

  • Qg(10V)[nC]

    :28.00

  • Qg(4.5V)[nC]

    :13.00

  • Package

    :TO-252

  • Technology

    :SGT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HAMOS/汉姆
24+
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33250
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TO-252
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