型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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VS4401ATH | MOSFET N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用,如电池保护和马达驱动等。 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试; | Vergiga 威兆半导体 | Vergiga | |
Epitaxial Planer Transistor PNP Silicon 文件:229.78 Kbytes 页数:5 Pages | WEITRON | WEITRON | ||
Silicon PNP epitaxial planer transistor Silicon PNP epitaxial planar type For general amplification ■ Features • Two elements incorporated into one package • Reduction of the mounting area and assembly cost by one half 文件:42.21 Kbytes 页数:3 Pages | Panasonic 松下 | Panasonic | ||
Silicon PNP epitaxial planar type Silicon PNP epitaxial planar type For general amplification ■ Features • Two elements incorporated into one package • Reduction of the mounting area and assembly cost by one half 文件:103.15 Kbytes 页数:4 Pages | Panasonic 松下 | Panasonic |
技术参数
- BVDSS[V]:
40.00
- bVGS[V]:
25.00
- vth_min:
2.60
- vth_max:
3.60
- ID[A]:
130.00
- PD[W]:
375.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V:
1.40
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V:
0.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V:
0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V:
0.00
- Ciss:
12845.00
- Coss:
1700.00
- Crss:
1425.00
- Qg(10V)[nC]:
237.00
- Qg(4.5V)[nC]:
0.00
- Package:
TO-220AB
- Technology:
Trench MOS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vergiga Semiconductor |
21+ |
800 |
Rohm授权代理,自营现货 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
76000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Vergiga Semiconductor |
23+ |
800 |
原装正品现货,德为本,正为先,通天下! |
询价 | |||
HAMOS/汉姆 |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Vanguard |
SOP-8 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
Vanguard |
23+ |
SOP-8 |
6000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
HAMOS/汉姆 |
24+ |
NA/ |
33250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
VANGUARD |
25+ |
TO-220AB |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
SOP-8 |
60000 |
询价 | |||
Vanguard |
24+ |
SOP-8 |
663300 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 |
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