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VS3640AE | MOSFET N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如PC/NB主板、负载开关和无线充等。\n\n; 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试\n; | VergigaShenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD. 威兆半导体深圳市威兆半导体股份有限公司 | Vergiga | |
VS3640AE | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |  | |
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | |
技术参数
- BVDSS[V]：
30.00
- bVGS[V]：
20.00
- vth_min：
0.00
- vth_max：
0.00
- ID[A]：
25.00
- PD[W]：
18.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V：
13.50
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V：
23.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V：
0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V：
0.00
- Ciss：
455.00
- Coss：
75.00
- Crss：
60.00
- Qg(10V)[nC]：
11.30
- Qg(4.5V)[nC]：
8.30
- Package：
PDFN3333
- Technology：
Trench MOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDNF3333 |
21+ |
VANGUARD |
5000 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
VANGUARD(威兆) |
23+ |
PDNF3333 |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
威兆/VS |
1948+ |
PDFN3333 |
18562 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
HAMOS/汉姆 |
23+ |
PDFN3333 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VANGUARD(威兆) |
25+ |
PDNF3333 |
8880 |
原装认准芯泽盛世！ |
询价 | ||
HAMOS/汉姆 |
24+ |
NA/ |
33250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
PDFN3333 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN3333-8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
2511 |
PDFN3333 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
SOT23 |
100000 |
原装现货 |
询价 |
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