型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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VS3640AA | MOSFET N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用,如负载开关、马达驱动和电池保护等。 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试\n4.无铅电镀;符合 RoHS 标准;无卤素; | Vergiga 威兆半导体 | Vergiga | |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件:491.94 Kbytes 页数:9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件:1.8468 Mbytes 页数:5 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件:1.48841 Mbytes 页数:4 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER |
技术参数
- BVDSS[V]:
30.00
- bVGS[V]:
20.00
- vth_min:
0.00
- vth_max:
0.00
- ID[A]:
10.00
- PD[W]:
2.50
- RDS (on) Typ[mR]@10V:
14.00
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V:
20.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V:
0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V:
0.00
- Ciss:
460.00
- Coss:
80.00
- Crss:
60.00
- Qg(10V)[nC]:
10.00
- Qg(4.5V)[nC]:
5.30
- Package:
DFN2x2x0.75-6L
- Technology:
Trench MOS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN2x2x0.75-6L |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
2511 |
DFN2020-6 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
VANGUARD威兆 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
23+ |
SOT-23 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
20+ |
SOT-23 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
VANGUARD威兆 |
24+ |
NA/ |
15913 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
Vergiga Semiconductor |
21+ |
3000 |
Rohm授权代理,自营现货 |
询价 | |||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
SOT23 |
100000 |
原装现货 |
询价 | ||
VANGUARD威兆 |
24+ |
SOT-23 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
Vergiga Semiconductor |
23+ |
3000 |
原装正品现货,德为本,正为先,通天下! |
询价 |
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